如何有效利用氮化镓提高晶体管的应用？

　氮化镓晶体管

　　减少由于晶体管特性差异而对功率性能的影响。在所有晶体管中，随着 RDS(ON) 减小，芯片尺寸增大，从而导致寄生 COSS 增大。在 GaN 晶体管中，COSS 增加与 RDS(ON) 减少的比率要低一个数量级。

　　RDS(ON)是开关导通时的电阻，会产生导通损耗。 COSS的功率损耗等于CV2/2。当晶体管导通时，COSS通过RDS(ON)放电，产生导通损耗。传导损耗等于 (CV2/2) xf，其中 f 是开关频率。用 GaN 开关代替硅开关可降低 RDS(ON)和 COSS值，从而能够设计更高效的电源或实现更高频率的操作，同时对效率的影响更小，这有助于缩小变压器的尺寸。

　　如何有效利用氮化镓提高晶体管的应用?

　　GaN 如何降低传导和开关损耗

　　增加晶体管尺寸的后果：随着晶体管变大，RDS(ON) 会减小。这没有问题。然而，随着晶体管变大，(显然)面积变大，因此寄生电容 COSS 也会增加。这不是什么好事。最佳晶体管尺寸应最大限度地减少 RDS(ON) 和 COSS 的组合。该点通常位于 RDS(ON) 损耗减少的曲线与 COSS 损耗增加的曲线相交的位置。当曲线相交时，电阻和电容损耗的组合最低。